- AI應用持續推動內存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應緊張已成為當前焦點。據《經濟日報》報道，公司表示DRAM短缺將持續存在，本季度內存價格預計將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望與本季持平?！督洕請蟆愤M一步指出，除了本季度價格接近翻倍外，第二季度價格預計還將再上漲近一倍，這意味著到2026年6月底，DRAM價格可能達到2025年底水平的近4倍。《工商時報》也提到，華邦2025年和2026年的產能已全部售罄，產線處于滿載運轉狀態。受此強勁漲價趨勢推動，機構投資者對
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華邦 DRAM
- 如今科技領域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內存市場，這一點體現得尤為明顯。為AI數據中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導致原本用于其他領域的內存產能被分流，價格也隨之暴漲。據Counterpoint Research數據，本季度截至目前，DRAM價格已上漲80%～90%。電子行業為何會陷入這一困境？當前局面是DRAM行業周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎設施建設浪潮共同導致的結果。供需劇烈波動的核心要理解這一事件的來龍去脈，就必須認識到造成
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DRAM GPU
- 近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
- 動力強勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機、士兵的單兵背包、智能可穿戴設備，這些產品有著一個共同點：都需要電池供電。理想狀態下，電池能精準適配各類不規則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實現這一點。曾參與設計梅賽德斯 - AMG 馬石油車隊賽車、助力該車隊拿下七連冠的工程師 Gabe Elias，聯合創立了一家初創企業，推出電池 3D 打印技術 —— 可將電池直接打印在設備表面，填充各類設備和交通工具中的閑置空間。該公司近期與美國空軍簽下一份價值 125 萬美元、為期 18 個月的合同，旨
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Material 3D 打印 電池
- 2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同研發 Z-Angle 內存（ZAM），其內存領域的野心再度引發關注。根據雙方發布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預計 2027 年推出原型產品，2030 年實現全面量產。在此次合作中，英特爾將提供技術與創新支持，SAIMEMORY 則主導產品研發與商業化進程。《日本電子工程時報》援引軟銀發言人的表述稱，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 軸，研發團隊正考慮采用垂直堆疊結構設計。報道還提到，軟銀計劃在 2027 財年完
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英特爾 DRAM 軟銀 Z-Angle 內存項目
- 瑞銀在最新研報中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關鍵零部件（存儲芯片DRAM）價格的劇烈反彈。據該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成本通脹高達人民幣4000至7000元。瑞銀稱，在當前競爭激烈、利潤微薄的市場環境下，由于車企很難將這部分成本轉嫁給消費者，這波成本上漲足以將車企的利潤完全吞噬（fully erode carmakers' margin）。金屬價格全線反彈研報稱，瑞銀基于其過往的拆解數據，建立了一個
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電動車 DRAM 金屬 購置稅
- 三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業級的NAND價格上調100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。市場研究機構TrendForce的數據顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
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存儲 NAND DRAM 三星 SK海力士
- 生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導體產業，卻可能為汽車供應鏈埋下新的不確定性。 瑞銀最新發布的全球汽車產業研究報告警告，受AI服務器需求暴增影響，DRAM產能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導致汽車級存儲器面臨價格上漲與供應短缺的雙重壓力，相關沖擊預計將自2026年第二季開始逐步浮現。瑞銀指出，全球三大DRAM供應商三星電子、SK海力士與美光，為追求更高的毛利率，已明確將產能重心轉向AI服務器所需的HBM產品，由于汽車級DDR內存與AI芯片共享有限的硅晶圓產能，HBM產能快速擴張，勢必排擠車用DR
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瑞銀 DRAM 汽車
- 根據TrendForce最新的記憶現貨價格趨勢報告，關于DRAM的現貨價格持續日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態度，現貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態度，卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下：DRAM現貨價格：受強勁的合約價格上漲推動，現貨價格連續日漲。然而，由于供應商和交易商不愿釋放庫存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現貨價格已從上
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DDR4 DRAM NAND
- 據韓媒Chosun Biz援引市調機構Omdia數據，2026年三星電子的DRAM晶圓產量預計為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產量則預計將從2025年的597萬片提升至2026年的648萬片，增幅約為8%。然而，由于技術升級至10納米第六代DRAM（1c）制程可能引發短期產能損失，實際增產幅度或低于預期。美光的年產量預計維持在約360萬片，與2025年持平。盡管三大DRAM廠商的產能均有所增加，但與市場需求相比仍存在顯著差距。韓國KB證券分析顯示，客戶端DRAM需求的
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DRAM 供應
- 華碩發布了一段18秒的預告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著的生活質量升級，目前AM5平臺擁有一些最優秀的CPU。硬件界又到了令人興奮的時代，品牌們準備在CES 2026上發布最新創新產品。緊隨MSI和技嘉發布Max和X3D更新之后，華碩憑借備受期待的Neo系列登上了聚光燈下。雖然“Neo”代表新或近期，但這些即將推出的AMD主板很可能繼續基于AM
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AM5“Neo”主板 華碩Neo主板 CES 2026 NitroPath DRAM
- 隨著人工智能基礎設施的逐步擴充，內存供應緊張，價格飆升?！渡虡I時報》援引行業專家的話，預測云高速內存消耗到2026年可能達到3艾字節（EB）。值得注意的是，考慮到高速內存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報告警告稱人工智能實際上可能占全球DRAM供應近20%。報告指出，3EB預計將由三個關鍵組成部分驅動。首先，跨主要平臺——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作負載預計實時內存需求將達到約750PB?？紤]到實際部署所需的冗余和安全裕度，這一
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AI DRAM HBM 存儲
- 借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術，科學家們開發出一種既能實現微觀細節又能實現高通量的新型3D打印技術。研究人員建議，他們的新技術有望實現復雜納米級結構的大規模生產。潛在應用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復雜微觀特征最精確的方法是雙光子光刻。該技術使用液態樹脂，只有當樹脂中的感光分子同時吸收兩個光子而非一個光子時才會凝固。 雙光子光刻技術使得體素——相當于像素的三維結構——體積僅幾十納米的器件成為可能。然而，雙光子光刻技術在大規模實際應用中被證明過于緩慢。這在很大程度上使其成為實驗
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3D 打印 超構透鏡 超材料 雙光子光刻
- 三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發后，現正推進下一代DRAM技術。據The Elec報道，三星與三星先進技術研究院（SAIT）發布了一種實現亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b DRAM。正如韓國新聞2024年底報道，三星計劃于2025年發布第六代10納米1c型HBM4DRAM處理器，隨后于2026年推出第七代10納米1維DRAM，并計劃于2027年前推出首款亞10納米0安DRAM。《The Elec》援引的一位業內消息人士指出，雖然該技術仍處于研究階段，且數年內難
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三星 DRAM
- 在內存價格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內部擁有強大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負責人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如報道所強調的，活動期間此類會議較為罕見，但消息人士稱三星請求此次會議是為了應對移動DRAM供應收緊的問題。據DealSite報道，討論將聚焦于即將推出的Galaxy S26的LPDDR5X，因為飛漲的價格使得與三星DS部門和美光的合同尚未解決。正如Se
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